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WTAT06N031L

更新时间： 2023-12-06 20:07:41

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先科 - SWST		晶体
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8页	1236K
描述
功率金氧半电晶体

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WTAT06N031L 数据手册

WTAT06N031L-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Optimized for synchronous rectification low

Input capacitance

Gate

• Low switching charge

• Low miller capacitance

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-220F Plastic Package

Applications

• Battery powered circuits

• BLDC Motor drive applications

• Half-bridge and full-bridge topologies

• Synchronous rectifier applications

• Resonant mode power supplies

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

5 @ V_GS= 10 V

6.8 @ V_GS= 4.5 V

1.6

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

51.4 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

37.8

Drain Current - Continuous

I_D

T_c= 100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation

I_DM

P_D

300

T_c= 25℃

Avalanche Current, Single Pulse

Avalanche Energy, Single Pulse ²⁾

I_AS

E_AS

101

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_j, T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%.

℃

R_θJA

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_D= 45 A, V_GS= 10 V.

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Dated: 01/09/2020 Rev: 01

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