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WTAT06N085L

更新时间： 2023-12-06 20:09:59

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先科 - SWST		晶体
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8页	504K
描述
功率金氧半电晶体

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WTAT06N085L 数据手册

WTAT06N085L-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• High Speed Switch

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-220F Plastic Package

Source

Application

• Power Management

• Portable Appliances

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

9.5 @ V_GS= 10 V

15.5 @ V_GS= 4.5 V

2.1

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

24 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

24.5

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

200

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

℃

P_D

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

6.5

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25°C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_D= 21 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

1 / 8

Dated: 14/12/2020 Rev: 01

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