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WS512K8-35CME

更新时间: 2024-02-01 04:42:07
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 211K
描述
SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CDMA32,

WS512K8-35CME 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.27
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-CDMA-T32
JESD-609代码:e4内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:GOLD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

WS512K8-35CME 数据手册

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