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WS512K8-35CQE

更新时间： 2024-01-26 20:12:00

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WS512K8-35CQE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDMA-T32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	最大待机电流：	0.0104 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.165 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WS512K8-35CQEA	WEDC	获取价格	暂无描述
WS512K8-35HC	WEDC	获取价格	Memory IC,
WS512K8-35I	MICROSEMI	获取价格	SRAM
WS512K8-35IA	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
WS512K8-35M	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
WS512K8-35MA	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
WS512K8-35Q	MICROSEMI	获取价格	SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
WS512K8-45	ETC	获取价格	512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078
WS512K8-45C	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
WS512K8-45CA	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32