Datasheet > WS512K32V-120HM

WS512K32V-120HM

更新时间： 2024-02-04 17:06:16

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	319K
描述
Standard SRAM, 512KX32, 120ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, CERAMIC, HIP-66

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

WS512K32V-120HM 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	1.185 X 1.185 INCH, CERAMIC, HIP-66
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
最长访问时间：	120 ns	JESD-30 代码：	S-CPGA-P66
长度：	30.1 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	66
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX32
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	6.22 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
宽度：	30.1 mm	Base Number Matches：	1

WS512K32V-120HM 数据手册

WS512K32V-XXX

White Electronic Designs

ADVANCED*

512Kx32 SRAM 3.3V MODULE

FEATURES

ꢀ

Access Times of 70, 85, 100, 120ns

Packaging

ꢀ

TTL Compatible Inputs and Outputs

ꢀ

Low Voltage Operation:

• 3.3V 10% Power Supply

Low Power CMOS

• 66-pin, PGA Type, 1.185 inch square, Hermetic

Ceramic HIP (Package 401)

ꢀ

• 68 lead, Hermetic CQFP (G2T), 22.4mm (0.880

inch), 4.57mm (0.180") high (Package 510).

Designed to ﬁt JEDEC 68 lead 0.990" CQFJ

footprint

Built-in Decoupling Caps and Multiple Ground Pins

for Low Noise Operation

ꢀ

Weight

WS512K32V-XG2TX - 8 grams typical

WS512K32V-XHX - 13 grams typical

ꢀ

Organized as 512Kx32; User Conﬁgurable as

1024Kx16 or 2Mx8

Commercial, Industrial and Military Temperature

Ranges

* This product is under development, is not qualiﬁed or characterized and is subject to

change or cancellation without notice.

PIN CONFIGURATION FOR WS512K32NV-XHX

Top View

Pin Description

I/O_0-31

A_0-18

Data Inputs/Outputs

Address Inputs

Write Enables

Chip Selects

Output Enable

Power Supply

Ground

I/O8

I/O9

I/O10

A13

WE2#

CS²#

GND

I/O¹¹

A10

I/O15

I/O24

I/O25

I/O26

VCC

CS4#

WE⁴#

I/O²⁷

I/O31

I/O30

I/O29

I/O28

WE_1-4

I/O14

I/O13

I/O12

OE#

A¹⁸

CS_1-4

OE#

V_CC

GND

Not Connected

A14

A15

A11

Block Diagram

A16

A12

WE1#

I/O⁷

A⁸

WE₁# CS₁#

WE₂# CS₂#

WE₃# CS₃#

WE₄# CS₄#

OE#

A_0-18

A17

VCC

WE3#

CS³#

GND

I/O¹⁹

I/O23

I/O22

I/O21

I/O20

I/O0

I/O1

I/O2

CS1#

I/O6

I/O16

I/O17

I/O18

512K x 8

I/O5

I/O³

I/O4

I/O_0-7

I/O_8-15

I/O_16-23

I/O_24-31

February 2000

Rev. 2

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与WS512K32V-120HM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WS512K32V-120HMA	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX32, 120ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, CERAMIC, HIP-66
WS512K32V-15G1TC	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, CQFP68, 23.90 MM, CERAMIC, QFP-68
WS512K32V-15G1TCA	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, CQFP68, 23.90 MM, CERAMIC, QFP-68
WS512K32V-15G1TI	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, CQFP68, 23.90 MM, CERAMIC, QFP-68
WS512K32V-15G1TIA	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, CQFP68, 23.90 MM, CERAMIC, QFP-68
WS512K32V-15G1UC	ETC	获取价格	512Kx32 SRAM 3.3V MODULE
WS512K32V-15G1UCA	ETC	获取价格	512Kx32 SRAM 3.3V MODULE
WS512K32V-15G1UI	ETC	获取价格	512Kx32 SRAM 3.3V MODULE
WS512K32V-15G1UIA	ETC	获取价格	512Kx32 SRAM 3.3V MODULE
WS512K32V-15G1UM	ETC	获取价格	512Kx32 SRAM 3.3V MODULE

与WS512K32V-120HM相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

3
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

3
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

WS512K32V-120HM

WS512K32V-120HM 技术参数

WS512K32V-120HM 数据手册

与WS512K32V-120HM相关器件

与WS512K32V-120HM相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

WS512K32V-120HM

WS512K32V-120HM 技术参数

WS512K32V-120HM 数据手册

与WS512K32V-120HM相关器件

与WS512K32V-120HM相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？