是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | 22.40 MM, 3.56 MM HEIGHT, CERAMIC, QFP-68 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.61 | 最长访问时间: | 15 ns |
其他特性: | USER CONFIGURABLE AS 2 X 512K X 16 OR 4 X 512K X 8 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CQFP-G68 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22.36 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | SRAM MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 68 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 512KX32 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP68,.99SQ,50 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.51 mm | 最大待机电流: | 0.2 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.4 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 22.36 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WS512K32V-15H1C | ETC |
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512Kx32 SRAM 3.3V MODULE |
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WS512K32V-15H1CA | ETC |
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512Kx32 SRAM 3.3V MODULE |
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WS512K32V-15H1I | ETC |
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512Kx32 SRAM 3.3V MODULE |
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WS512K32V-15H1IA | ETC |
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512Kx32 SRAM 3.3V MODULE |
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WS512K32V-15H1M | ETC |
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512Kx32 SRAM 3.3V MODULE |
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WS512K32V-15H1MA | ETC |
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512Kx32 SRAM 3.3V MODULE |
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WS512K32V-17G1TC | WEDC |
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SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, 23.90 MM, CERAMIC, QFP-68 |
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WS512K32V-17G1TCA | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, 23.90 MM, CERAMIC, QFP-68 |
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WS512K32V-17G1TI | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, 23.90 MM, CERAMIC, QFP-68 |
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WS512K32V-17G1TIA | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, 23.90 MM, CERAMIC, QFP-68 |
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