Datasheet > WS512K32V-17G1UC

WS512K32V-17G1UC

更新时间： 2024-01-04 03:53:38

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		静态存储器
页数	文件大小	规格书
8页	131K
描述
512Kx32 SRAM 3.3V MODULE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

WS512K32V-17G1UC 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	23.90 MM, LOW PROFILE, CERAMIC, QFP-68
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	17 ns
其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 2M X 8	备用内存宽度：	16
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CQFP-G68
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP68,.99SQ,50
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.2 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.4 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	Base Number Matches：	1

WS512K32V-17G1UC 数据手册

WS512K32V-XXX

HI-RELIABILITY PRODUCT

512Kx32 SRAM 3.3V MODULE PRELIMINARY*

FEATURES

■ Access Times of 15, 17, 20ns

■ Low Voltage Operation

■ Packaging

■ Low Power CMOS

■ TTL Compatible Inputs and Outputs

■ Fully Static Operation:

• 66-pin, PGA Type, 1.075 inch square, Hermetic

Ceramic HIP (Package 400)

• No clock or refresh required.

■ Three State Output.

• 68 lead, 22.4mm (0.88") CQFP, 4.6mm (0.180") high,

(Package 509)

■ Built-in Decoupling Caps and Multiple Ground Pins for Low

Noise Operation

■ Weight

• 68 lead, 23.9mm (0.940" sq.) Low Profile CQFP (G1U),

3.56mm (0.140") high, (Package 519)

■ Organized as 512Kx32; User Configurable as 1Mx16 or 2Mx8

■ Commercial, Industrial and Military Temperature Ranges

■ Low Voltage Operation:

WS512K32V-XG2TX - 8 grams typical

WS512K32V-XG1UX - 5 grams typical

WS512K32NV-XH1X - 13 grams typical

This data sheet describes a product under development, not fully

characterized, and is subject to change without notice.

• 3.3V ± 10% Power Supply

PIN CONFIGURATION FOR WS512K32NV-XH1X

TOP VIEW

PIN DESCRIPTION

I/O0-31 Data Inputs/Outputs

A0-18

WE1-4

CS1-4

Address Inputs

Write Enables

Chip Selects

Output Enable

Power Supply

Ground

I/O

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

I/O24

I/O25

I/O26

I/O31

I/O30

I/O29

I/O28

CS2

I/O10

GND

I/O11

VCC

I/O27

GND

A10

A11

A12

VCC

Not Connected

A18

BLOCK DIAGRAM

WE1

WE₁CS₁

WE₂CS₂

WE₃CS₃

WE₄CS₄

I/O

I/O23

I/O22

I/O21

I/O20

0-18

I/O

I/O16

I/O17

I/O18

512K x 8

GND

I/O19

I/O16-23

I/O24-31

I/O0-7

I/O8-15

May 2001 Rev. 6

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与WS512K32V-17G1UC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WS512K32V-17G1UCA	ETC	获取价格	512Kx32 SRAM 3.3V MODULE
WS512K32V-17G1UI	ETC	获取价格	512Kx32 SRAM 3.3V MODULE
WS512K32V-17G1UIA	ETC	获取价格	512Kx32 SRAM 3.3V MODULE
WS512K32V-17G1UM	ETC	获取价格	512Kx32 SRAM 3.3V MODULE
WS512K32V-17G1UMA	ETC	获取价格	512Kx32 SRAM 3.3V MODULE
WS512K32V-17G2TC	MICROSEMI	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQMA68, 22.40 MM, CERAMIC, LQFP-68
WS512K32V-17G2TC	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQMA68, 22.40 MM, CERAMIC, LQFP-68
WS512K32V-17G2TCA	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQMA68, 22.40 MM, CERAMIC, LQFP-68
WS512K32V-17G2TCA	MICROSEMI	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQMA68, 22.40 MM, CERAMIC, LQFP-68
WS512K32V-17G2TI	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQMA68, 22.40 MM, CERAMIC, LQFP-68

与WS512K32V-17G1UC相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

16
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

16
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

14
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

WS512K32V-17G1UC

WS512K32V-17G1UC 技术参数

WS512K32V-17G1UC 数据手册

与WS512K32V-17G1UC相关器件

与WS512K32V-17G1UC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

WS512K32V-17G1UC

WS512K32V-17G1UC 技术参数

WS512K32V-17G1UC 数据手册

与WS512K32V-17G1UC相关器件

与WS512K32V-17G1UC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？