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WS512K32-100G4TI

更新时间: 2024-12-01 20:28:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68

WS512K32-100G4TI 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:QFP
包装说明:CERAMIC, QFP-68针数:68
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.16
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
其他特性:USER CONFIGURABLE AS 512K X 32备用内存宽度:16
JESD-30 代码:S-CQFP-F68长度:39.6 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:68字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QFF封装形状:SQUARE
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.56 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:39.6 mm
Base Number Matches:1

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