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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.7 |
| 最长访问时间： | 70 ns | JESD-30 代码： | R-CDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1MX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.13 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WS1M8-70CIA | WEDC |
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2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-70CM | WEDC |
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2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-70CMA | WEDC |
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2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-85CC | WEDC |
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2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-85CCA | WEDC |
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2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-85CI | WEDC |
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2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-85CIA | WEDC |
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2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-85CM | WEDC |
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2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-85CMA | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8L-17CC | WEDC |
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SRAM, |
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