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WS128K32N-100HQE

更新时间: 2024-02-18 22:26:33
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 182K
描述
SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66

WS128K32N-100HQE 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.55最长访问时间:100 ns
其他特性:USER CONFIGURABLE AS 128K X 32备用内存宽度:16
JESD-30 代码:S-CHIP-P66内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:SQUARE封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:PIN/PEG
端子位置:HEXBase Number Matches:1

WS128K32N-100HQE 数据手册

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