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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | PGA |
| 包装说明： | PGA, | 针数： | 66 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.05 |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | ALSO CONFIGURABLE AS 512K X 8 |
| 备用内存宽度： | 16 | JESD-30 代码： | S-CPGA-P66 |
| 长度： | 27.3 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 66 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX32 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | PGA |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 4.34 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 27.3 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WS128K32N-120H1M | WEDC |
获取价格 |
128Kx32 SRAM MODULE, SMD 5962-93187 |
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| WS128K32N-120H1MA | WEDC |
获取价格 |
128Kx32 SRAM MODULE, SMD 5962-93187 |
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| WS128K32N-120H1Q | WEDC |
获取价格 |
128Kx32 SRAM MODULE, SMD 5962-93187 |
|
| WS128K32N-120H1QA | WEDC |
获取价格 |
128Kx32 SRAM MODULE, SMD 5962-93187 |
|
| WS128K32N-120HI | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| WS128K32N-120HM | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| WS128K32N-120HME | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HI |
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| WS128K32N-120HQ | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| WS128K32N-120HQE | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, CHIP66, |
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| WS128K32N-120HSC | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, CHIP66, |
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