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WPAT60N280-CH

更新时间： 2023-12-06 20:09:04

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先科 - SWST		晶体
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7页	735K
描述
功率金氧半电晶体

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WPAT60N280-CH 数据手册

WPAT60N280-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low Gate Charge

• AEC-Q101 Qualified

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

Applications

TO-220F Plastic Package

1.Gate 2.Drain 3.Source

• Hard / soft switching topology

Key Parameters

Parameter

V_(BR)DSS

Value

Unit

600

280 @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)Max

V_GS(th)typ

Q_gtyp

mΩ

25.5 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

600

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 30

T_c= 25℃

4.4

Drain Current

I_D

T_c= 100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

3.5

Single Pulsed Avalanche Energy ²⁾

E_AS

483

℃

Power Dissipation

P_D

36.7

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Value

3.4

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 79 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 3.5 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

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Dated: 30/08/2023 Rev: 01

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