是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.74 |
最长访问时间: | 20 ns | JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 |
长度: | 42.2 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX8 | |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.13 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WMS512K8L-20CIA | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC | |
WMS512K8L-20CLC | WEDC |
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512Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-95613 | |
WMS512K8-L20CLCA | MICROSEMI |
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512KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CQCC32, BRAZED, CERAMIC, QCC-32 | |
WMS512K8L-20CLCA | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, BRAZED, CERAMIC, LCC-32 | |
WMS512K8L-20CLI | WEDC |
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512Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-95613 | |
WMS512K8-L20CLIA | MICROSEMI |
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512KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CQCC32, BRAZED, CERAMIC, QCC-32 | |
WMS512K8L-20CLIA | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, BRAZED, CERAMIC, LCC-32 | |
WMS512K8-L20CLM | MICROSEMI |
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512KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CQCC32, BRAZED, CERAMIC, QCC-32 | |
WMS512K8L-20CLM | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-95613 | |
WMS512K8-L20CLMA | MICROSEMI |
获取价格 |
512KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CQCC32, BRAZED, CERAMIC, QCC-32 |