是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | SOJ, SOJ32,.44 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.04 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDSO-J32 | 长度: | 21.1 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ32,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
反向引出线: | NO | 座面最大高度: | 3.96 mm |
最大待机电流: | 0.002 A | 最小待机电流: | 2 V |
最大压摆率: | 0.16 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 11.23 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WMS512K8-55DEM | WEDC |
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512Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-95613 | |
WMS512K8-55DEM | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDSO32, CREAMIC, SOJ-32 | |
WMS512K8-55DEMA | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDSO32, CREAMIC, SOJ-32 | |
WMS512K8-55DEMA | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDSO32, CREAMIC, SOJ-32 | |
WMS512K8-55DEMA | MERCURY |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDSO32, CREAMIC, SOJ-32 | |
WMS512K8-55DEQ | WEDC |
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512Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-95613 | |
WMS512K8-55DEQ | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
WMS512K8-55DEQA | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDSO32, CREAMIC, SOJ-32 | |
WMS512K8-55DJC | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36 | |
WMS512K8-55DJC | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDSO36, CREAMIC, SOJ-36 |