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WMS128K8V-17CLMA

更新时间: 2024-01-31 05:34:29
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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8页 184K
描述
128Kx8 3.3V MONOLITHIC SRAM

WMS128K8V-17CLMA 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CERAMIC, FP-32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.64最长访问时间:17 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDFP-F32
长度:20.83 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装等效代码:FL32,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.777 mm最大待机电流:0.008 A
最小待机电流:3 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.41 mm
Base Number Matches:1

WMS128K8V-17CLMA 数据手册

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WMS128K8V-XXX  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TRUTH TABLE  
Parameter  
Symbol  
TA  
Min  
-55  
-65  
-0.5  
Max  
+125  
+150  
Vcc+0.5  
150  
Unit  
°C  
°C  
V
CS  
H
L
L
L
OE  
X
L
X
H
WE  
X
H
L
H
Mode  
Standby  
Read  
Write  
Out Disable  
Data I/O  
High Z  
Data Out  
Data In  
High Z  
Power  
Standby  
Active  
Active  
Active  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
Signal Voltage Relative to GND  
Junction Temperature  
Supply Voltage  
TSTG  
VG  
TJ  
°C  
V
VCC  
-0.5  
5.5  
CAPACITANCE  
(TA = +25°C)  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS  
Parameter  
Symbol  
VCC  
Min  
3.0  
Max  
3.6  
Unit  
V
Parameter  
Symbol  
CIN  
Condition  
IN = 0V, f = 1.0MHz  
VOUT = 0V, f = 1.0MHz  
Max Unit  
Supply Voltage  
Input capacitance  
Output capacitance  
V
20  
20  
pF  
pF  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
Operating Temp. (Mil.)  
VIH  
2.2  
VCC + 0.3  
+0.8  
V
COUT  
VIL  
-0.3  
-55  
V
This parameter is guaranteed by design but not tested.  
TA  
+125  
°C  
DC CHARACTERISTICS  
(VCC = 3.3V ±0.3V, VSS = 0V, TA = -55°C to +125°C)  
Parameter  
Sym  
Conditions  
Units  
Min  
Max  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
ILI  
ILO  
VCC = 3.3, VIN = GND to VCC  
CS = VIH, OE = VIH, VOUT = GND to VCC  
CS = VIL, OE = VIH, f = 5MHz, VCC = 3.3  
CS = VIH, OE = VIH, f = 5MHz, VCC = 3.3  
IOL = 8mA  
10  
µA  
µA  
mA  
mA  
V
10  
120  
8
Operating Supply Current (x 32 Mode)  
Standby Current  
ICC  
ISB  
Output Low Voltage  
VOL  
VOH  
0.4  
Output High Voltage  
IOH = -4.0mA  
2.4  
V
AC TEST CIRCUIT  
AC TEST CONDITIONS  
IOL  
Parameter  
Input Pulse Levels  
Typ  
Unit  
V
Current Source  
VIL = 0, VIH = 2.5  
Input Rise and Fall  
5
ns  
V
Input and Output Reference Level  
Output Timing Reference Level  
1.5  
1.5  
D.U.T.  
VZ 1.5V  
V
(Bipolar Supply)  
Ceff = 50 pf  
NOTES:  
VZ is programmable from -2V to +7V.  
IOL & IOH programmable from 0 to 16mA.  
Tester Impedance Z0 = 75 .  
VZ is typically the midpoint of VOH and VOL.  
IOL & IOH are adjusted to simulate a typical resistive load circuit.  
ATE tester includes jig capacitance.  
IOH  
Current Source  
White Electronic Designs Corporation • Phoenix, AZ • (602) 437-1520  
2

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