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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 600A |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 断态重复峰值电压： | 1800 V | 重复峰值反向电压： | 1300 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG6018R15 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1800V V(DRM), 1500V V(RRM), 1 Element |
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| WG6018R18 | IXYS |
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Symmetrical GTO SCR, 870A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| WG7008S | ETC |
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THYRISTOR|GTO|TO-200AC |
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| WG7008S08 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1085 A, 1700 V, SYMMETRICAL GTO SCR |
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| WG7008S10 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1085A I(T)RMS, 800V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG7008S12 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1085A I(T)RMS, 900V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG7008S14 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1085A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG7008S16 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1085 A, 1100 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG7008S18 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1085A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG7008S22 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1085 A, 1500 V, GATE TURN-OFF SCR |
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