5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 700A |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 断态重复峰值电压： | 2000 V | 重复峰值反向电压： | 16 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG7022S | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|TO-200AC |
|
| WG7022S16 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2200 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG7024S | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|TO-200AC |
|
| WG7024S16 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2400V V(DRM), 16V V(RRM), 1 Element |
|
| WG7025S | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 871.35A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG7025S08 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1085A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG7025S10 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1085A I(T)RMS, 1900V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG7025S12 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1085A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG7025S14 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1085A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG7025S18 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1085 A, 2300 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
