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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1000A |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 断态重复峰值电压： | 4100 V | 重复峰值反向电压： | 3200 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10041R33 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 4100V V(DRM), 3300V V(RRM), 1 Element |
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| WG10041R35 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 4100 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10041R36 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 4100V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element |
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| WG10041R37 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4100 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10041R38 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4100 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10042 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 920A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042F | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR | ETC |
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THYRISTOR|GTO|4.2KV V(DRM)|TO-200VAR74W |
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| WG10042FR02 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 820 A, 4200 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10042FR03 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element |
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