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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10042FR03 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR04 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 820 A, 4200 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10042FR05 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR07 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR08 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 820 A, 4200 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10042FR09 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 900V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR10 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR11 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR12 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR13 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element |
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晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
Galaxy S25系列或全系搭载骁龙8 Elite
三大厂商12层HBM3E进展迅速
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