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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10042FR25 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 2500V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR26 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR27 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 820 A, 4200 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10042FR28 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR29 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR30 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR31 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 3100V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR33 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 3300V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042FR34 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 3400V V(RRM), 1 Element |
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| WG10042R | ETC |
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THYRISTOR|GTO|4.2KV V(DRM)|TO-200VAR74W |
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三大厂商12层HBM3E进展迅速
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