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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1000A | 标称电路换相断开时间： | 155 µs |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 1300 mA |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 920 A |
| 断态重复峰值电压： | 3800 V | 重复峰值反向电压： | 3100 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10038R32 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 920 A, 3800 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10038R34 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 920A I(T)RMS, 3800V V(DRM), 3400V V(RRM), 1 Element |
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| WG10038R35 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 920A I(T)RMS, 3800V V(DRM), 3500V V(RRM), 1 Element |
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| WG10038R36 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 920A I(T)RMS, 3800V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element |
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| WG10038S | ETC |
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THYRISTOR|GTO|3.8KV V(DRM)|TO-200VAR74 |
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| WG10039 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 920 A, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG1003901 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10039FR02 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| WG10039FR03 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 820 A, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10039FR04 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
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