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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10039FR02 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| WG10039FR03 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 820 A, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10039FR04 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
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| WG10039FR07 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element |
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| WG10039FR10 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 820 A, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10039FR11 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element |
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| WG10039FR12 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| WG10039FR13 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 820 A, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10039FR14 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 820 A, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10039FR15 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 1500V V(RRM), 1 Element |
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三大厂商12层HBM3E进展迅速
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