5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10038R36 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 920A I(T)RMS, 3800V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10038S | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|3.8KV V(DRM)|TO-200VAR74 |
|
| WG10039 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 920 A, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG1003901 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10039FR02 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10039FR03 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 820 A, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10039FR04 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10039FR07 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10039FR10 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 820 A, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10039FR11 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element |
|
晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
Galaxy S25系列或全系搭载骁龙8 Elite
三大厂商12层HBM3E进展迅速
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
