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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1000A |
| 标称电路换相断开时间： | 130 µs | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 1300 mA | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1180 A | 断态重复峰值电压： | 3300 V |
| 重复峰值反向电压： | 2000 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10033R21 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180 A, 3300 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10033R22 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element |
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| WG10033R24 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element |
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| WG10033R25 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 2500V V(RRM), 1 Element |
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| WG10033R27 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 2700V V(RRM), 1 Element |
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| WG10033R28 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element |
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| WG1003401 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 3400V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| WG10034F | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 980 A, 3400 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10034F01 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 3400 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10034FR | ETC |
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THYRISTOR|GTO|3.4KV V(DRM)|TO-200VAR74W |
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