5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10034FR23 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 2300V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10034FR24 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10034FR25 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 980 A, 3400 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10034FR26 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10034FR27 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 980 A, 3400 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10034FR28 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10034FR30 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 3400V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10034FR31 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 3400V V(DRM), 3100V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10034FR33 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 3400V V(DRM), 3300V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10034R | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|3.4KV V(DRM)|TO-200VAR74W |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
