是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | DIMM, | 针数: | 144 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.32 | 风险等级: | 5.79 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-XDMA-N144 |
内存密度: | 1073741824 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 144 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 组织: | 16MX64 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WED3DG6418V10D2 | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, DIMM-168 | |
WED3DG6418V75D1I | MICROSEMI |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, SODIMM-144 | |
WED3DG6418V7D1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, SODIMM-144 | |
WED3DG6418V-D1 | ETC |
获取价格 |
SDRAM Modules - 144 Pin SO-DIMM. Unbuffered | |
WED3DG6418V-D2 | ETC |
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SDRAM Modules - 168 Pin DIMM. Unbuffered | |
WED3DG6419V10D2 | WEDC |
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128MB - 16Mx64 SDRAM UNBUFFERED | |
WED3DG6419V75D2 | WEDC |
获取价格 |
128MB - 16Mx64 SDRAM UNBUFFERED | |
WED3DG6419V7D2 | WEDC |
获取价格 |
128MB - 16Mx64 SDRAM UNBUFFERED | |
WED3DG6419V-D2 | WEDC |
获取价格 |
128MB - 16Mx64 SDRAM UNBUFFERED | |
WED3DG6432V10D1 | WEDC |
获取价格 |
256MB- 32Mx64 SDRAM UNBUFFERED |