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WDCT10N680LK

更新时间： 2024-11-22 14:49:19

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先科 - SWST		晶体
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7页	576K
描述
功率金氧半电晶体

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WDCT10N680LK 数据手册

WDCT10N680LK-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Halogen and Antimony Free(HAF),

Gate

RoHS compliant

• Built-in G-S Protection Diode

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-220FB Plastic Package

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Source

Classification Voltage Range(V)

< 125

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Value

100

Unit

68 @ V_GS= 10 V

92 @ V_GS= 4.5 V

1.9

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

9 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

I_D

Drain Current

T_c= 100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

I_AS

4.2

4.4

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

℃

P_D

Power Dissipation

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

4.8

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.5 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 4.2 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

1 / 7

Dated: 30/05/2023 Rev: 01

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