Datasheet > W9464G6JH

W9464G6JH

更新时间： 2024-02-23 08:46:33

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
52页	987K
描述
1M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

W9464G6JH 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	TSOP2,	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.7
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

W9464G6JH 数据手册

W9464G6JH

1M  4 BANKS  16 BITS DDR SDRAM

Table of Contents-

GENERAL DESCRIPTION ......................................................................................................... 4

FEATURES................................................................................................................................. 4

KEY PARAMETERS ................................................................................................................... 5

PIN CONFIGURATION............................................................................................................... 6

PIN DESCRIPTION..................................................................................................................... 7

BLOCK DIAGRAM ...................................................................................................................... 8

FUNCTIONAL DESCRIPTION.................................................................................................... 9

7.1

7.2

Power Up Sequence....................................................................................................... 9

Command Function ...................................................................................................... 10

7.2.1

Bank Activate Command ........................................................................... 10

Bank Precharge Command........................................................................ 10

Precharge All Command............................................................................ 10

Write Command......................................................................................... 10

Write with Auto-precharge Command........................................................ 10

Read Command......................................................................................... 10

Read with Auto-precharge Command ....................................................... 10

Mode Register Set Command.................................................................... 11

Extended Mode Register Set Command ................................................... 11

No-Operation Command............................................................................ 11

Burst Read Stop Command....................................................................... 11

Device Deselect Command ....................................................................... 11

Auto Refresh Command ............................................................................ 11

Self Refresh Entry Command .................................................................... 12

Self Refresh Exit Command....................................................................... 12

Data Write Enable /Disable Command...................................................... 12

7.2.2

7.2.3

7.2.4

7.2.5

7.2.6

7.2.7

7.2.8

7.2.9

7.2.10

7.2.11

7.2.12

7.2.13

7.2.14

7.2.15

7.2.16

7.3

7.4

7.5

7.6

7.7

7.8

7.9

Read Operation............................................................................................................. 12

Write Operation............................................................................................................. 13

Precharge ..................................................................................................................... 13

Burst Termination.......................................................................................................... 13

Refresh Operation......................................................................................................... 13

Power Down Mode ....................................................................................................... 14

Input Clock Frequency Change during Precharge Power Down Mode........................ 14

7.10 Mode Register Operation.............................................................................................. 14

Publication Release Date: Oct. 20, 2011

- 1 -

Revision A02

12 3 4 5 6 7...52

下载PDF

与W9464G6JH相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
W9464G6JH-4	WINBOND	DDR DRAM, 4MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	获取价格
W9464G6JH-5	WINBOND	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	获取价格
W9464G6JH-5I	WINBOND	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	获取价格
W9464G6KH-4	WINBOND	DDR DRAM, 4MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	获取价格
W9464G6KH-5	WINBOND	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, TSOP2-66	获取价格
W9464G6KH-5I	WINBOND	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, TSOP2-66	获取价格

与W9464G6JH相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

17
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

16
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

14
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W9464G6JH

W9464G6JH 技术参数

W9464G6JH 数据手册

与W9464G6JH相关器件

与W9464G6JH相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W9464G6JH

W9464G6JH 技术参数

W9464G6JH 数据手册

与W9464G6JH相关器件

与W9464G6JH相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？