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W9464G6KH-5 PDF预览

W9464G6KH-5

更新时间： 2024-11-09 20:43:03
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
52页 921K
描述
DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, TSOP2-66

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W9464G6KH-5 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TSOP2,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：2.24访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.7 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G66长度：22.22 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：DDR DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：66
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

W9464G6KH-5 数据手册

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W9464G6KH  
1M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM  
Table of Contents-  
1.  
2.  
3.  
4.  
5.  
6.  
7.  
8.  
GENERAL DESCRIPTION ......................................................................................................... 4  
FEATURES................................................................................................................................. 4  
ORDER INFORMATION............................................................................................................. 4  
KEY PARAMETERS ................................................................................................................... 5  
PIN CONFIGURATION............................................................................................................... 6  
PIN DESCRIPTION..................................................................................................................... 7  
BLOCK DIAGRAM ...................................................................................................................... 8  
FUNCTIONAL DESCRIPTION.................................................................................................... 9  
8.1  
8.2  
Power Up Sequence....................................................................................................... 9  
Command Function ...................................................................................................... 10  
8.2.1  
Bank Activate Command ........................................................................... 10  
Bank Precharge Command........................................................................ 10  
Precharge All Command............................................................................ 10  
Write Command ......................................................................................... 10  
Write with Auto-precharge Command........................................................ 10  
Read Command......................................................................................... 10  
Read with Auto-precharge Command ....................................................... 10  
Mode Register Set Command.................................................................... 11  
Extended Mode Register Set Command ................................................... 11  
No-Operation Command............................................................................ 11  
Burst Read Stop Command....................................................................... 11  
Device Deselect Command ....................................................................... 11  
Auto Refresh Command ............................................................................ 11  
Self Refresh Entry Command .................................................................... 12  
Self Refresh Exit Command....................................................................... 12  
Data Write Enable /Disable Command...................................................... 12  
8.2.2  
8.2.3  
8.2.4  
8.2.5  
8.2.6  
8.2.7  
8.2.8  
8.2.9  
8.2.10  
8.2.11  
8.2.12  
8.2.13  
8.2.14  
8.2.15  
8.2.16  
8.3  
8.4  
8.5  
8.6  
8.7  
8.8  
8.9  
Read Operation............................................................................................................. 12  
Write Operation............................................................................................................. 13  
Precharge ..................................................................................................................... 13  
Burst Termination.......................................................................................................... 13  
Refresh Operation......................................................................................................... 13  
Power Down Mode ....................................................................................................... 14  
Input Clock Frequency Change during Precharge Power Down Mode........................ 14  
Publication Release Date: Aug. 12, 2013  
- 1 -  
Revision A01  
1234567...52

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W9464G6KH-5 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
W9464G6JH-5 WINBOND

类似代替

 DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

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