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W3841VC300

更新时间： 2024-11-10 04:07:51

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力特 - LITTELFUSE		二极管
页数	文件大小	规格书
10页	603K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3841A, 3000V V(RRM), Silicon,

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W3841VC300 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-XEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	43800 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	3841 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	3000 V
最大反向恢复时间：	37 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

W3841VC300 数据手册

Date:- 27 Jun, 2005

Data Sheet Issue:- 1

WESTCODE

An IXYS Company

Provisional Data

Rectifier Diode

Types W3841V#300 to W3841V#340

Development Type No.: WX095V#340

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

VOLTAGE RATINGS

UNITS

LIMITS

3000-3400

3100-3500

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_F(AV)M

Maximum average forward current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=100°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=100°C, (note 3)

3841

2819

1732

I_F(RMS)MNominal RMS forward current, T_sink=25°C, (note 2)

6952

I_F(d.c.)

I_FSM

I_FSM2

I²t

D.C. forward current, T_sink=25°C, (note 4)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm£10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm£10V, (note 5)

Operating temperature range

6033

39.8

A²s

°C

43.8

7.92×10⁶

9.59×10⁶

-40 to +175

-55 to +175

I²t

T_{j op}

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 175°C T_jinitial.

Provisional Data Sheet. Types W3841V#300 to W3841V#340 AD Issue 1

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June, 2005

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