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W25B20-VSNI-G

更新时间: 2024-11-14 15:57:51
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
36页 1312K
描述
Flash, 256KX8, PDSO8, GREEN, 0.150 INCH, SOIC-8

W25B20-VSNI-G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:GREEN, 0.150 INCH, SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.8
最大时钟频率 (fCLK):33 MHzJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:4.85 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:8
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):260
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.72 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
类型:NOR TYPE宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

W25B20-VSNI-G 数据手册

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W25B40/W25B40A  
4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY  
WITH BOOT AND PARAMETER SECTORS  
Formally NexFlash NX25B40  
The Winbond W25B40 / W25B40A is fully compatible with the previous NexFlash NX25B40 Serial  
Flash memory.  
Publication Release Date: September 22, 2006  
- 1 -  
Revision N  

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