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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.8 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 40 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 20 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 串行总线类型： | SPI |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 类型： | NOR TYPE |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| W25B40AVSNIG-TR | WINBOND |
获取价格 |
4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH BOOT AND PARAMETER SECTORS |
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| W25B40-VSNI-G | WINBOND |
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暂无描述 |
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| W25M02GVTBIG | WINBOND |
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3V 2G-BIT (2 x 1G-BIT) SERIAL SLC NAND FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI BUFFER READ & CONTI |
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| W25M02GVTBIG TR | ETC |
获取价格 |
IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA |
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| W25M02GVTBIT | WINBOND |
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3V 2G-BIT (2 x 1G-BIT) SERIAL SLC NAND FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI BUFFER READ & CONTI |
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| W25M02GVTBIT TR | ETC |
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IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA |
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| W25M02GVTCIG | WINBOND |
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3V 2G-BIT (2 x 1G-BIT) SERIAL SLC NAND FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI BUFFER READ & CONTI |
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| W25M02GVTCIG TR | ETC |
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IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA |
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| W25M02GVTCIT | WINBOND |
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3V 2G-BIT (2 x 1G-BIT) SERIAL SLC NAND FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI BUFFER READ & CONTI |
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| W25M02GVTCIT TR | ETC |
获取价格 |
IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA |
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