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W19B320ATB7H

更新时间： 2024-02-13 09:42:31

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华邦 - WINBOND		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
53页	469K
描述
Flash, 2MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48

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W19B320ATB7H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.29	最长访问时间：	70 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	8,63	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,12X18,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

W19B320ATB7H 数据手册

W19B320AT/B

1. GENERAL DESCRIPTION

The W19B320AT/B is a 32Mbit, 2.7~3.6-volt flexible bank CMOS flash memory organized as 4M x 8

or 2M × 16 bits. The word-wide (× 16) data appears on DQ15-DQ0, and byte-wide (x 8) data appears

on DQ7-DQ0. The device can be programmed and erased in-system with a standard 3.0-volt power

supply. A 12-volt VPP is not required. The unique cell architecture of the W19B320AT/B results in fast

program/erase operations with extremely low current consumption (compared to other comparable

3-volt flash memory products). The device can also be programmed and erased by using standard

EPROM programmers.

2. FEATURES

Performance

• JEDEC standard byte-wide and word-wide

pinouts

• 2.7~3.6-volt write (program and erase)

operations

• Manufactured on WinStack 0.18μm process

technology

• Fast write operation

• Available packages: 48-pin TSOP and 48-ball

TFBGA (6x8mm)

− Sector erases time: 0.4 Sec (typical)

− Chip erases time: 49 Sec (typical)

− Byte programming time: 5 μs (typical)

Software Features

• Compatible with common Flash Memory

Interface (CFI) specification

• Read access time: 70 ns

• Typical program/erase cycles:

− 100K

− Flash device parameters stored directly on

the device

− Allows software driver to identify and use a

variety of different current and future Flash

products

• Twenty-year data retention

• Ultra low power consumption

• Erase Suspend/Erase Resume

− Suspends erase operations to allow

programming in same bank

− Active current (Read): 10 mA (typical)

− Active current (Read while Erase/Program):

21 mA (typical)

• End of program detection

− Standby current: 0.2 μA (typical)

Architecture

− Software method: Toggle bit/Data polling

• Unlock Bypass Program command

• Flexible Bank architectures

− Reduces overall programming time when

issuing multiple program command

sequences

− Consist of four banks that customer can

group the bank size as they needed

− Bank 1: 4M; Bank 2: 12M;

Bank 3: 12M; Bank 4: 4M

Hardware Features

• Ready/#Busy output (RY/#BY)

− Detect program or erase cycle completion

• Hardware reset pin (#RESET)

• Security Sector Size: 256 Bytes

− The Security Sector is an OTP; once the

sector is programmed, it cannot be erased

• Simultaneous Read/write operation

− Reset the internal state machine to the read

mode

− Data can be continuously read from one bank

while processing erase/program functions in

other bank with zero latency

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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W19B320ATB8H	WINBOND	Flash, 2MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48	获取价格
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