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W0735SA120

更新时间： 2024-02-07 00:46:27

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力特 - LITTELFUSE		二极管
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描述
Rectifier Diode,

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W0735SA120 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.54	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	JESD-30 代码：	O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流：	10000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	190 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	735 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压：	1200 V	最大反向电流：	15000 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

W0735SA120 数据手册

Date:- 4^thJanuary, 2018

Data Sheet Issue:- 3

Rectifier Diode

Types W0735R/SA120 to W0735R/SA150

Previous Type No.: SW02-15PHN/R470

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

VOLTAGE RATINGS

UNITS

LIMITS

1200-1500

1300-1600

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_F(AV)M

Maximum average forward current, T_case=55°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_case=100°C, (note 2)

735

551

I_F(RMS)MNominal RMS forward current, T_case=25°C, (note 2)

1325

I_F(d.c.)

I_FSM

I_FSM2

I²t

D.C. forward current, T_case=25°C, (note 3)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 3)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm10V, (note 3)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 3)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm10V, (note 3)

Operating temperature range

1091

9000

10000

405×10³

500×10³

-40 to +190

-55 to +190

A²s

°C

I²t

T_{j op}

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Half-sinewave, 190°C T_jinitial.

Data Sheet. Types W0735R/SA120 to W0735R/SA150 Issue 3

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January, 2018

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