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VUO68-16NO7

更新时间： 2024-02-21 04:50:24

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IXYS		局域网二极管
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5页	183K
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Standard Rectifier Module

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VUO68-16NO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	R-PUFM-P5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	2.27	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.46 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-P5	最大非重复峰值正向电流：	300 A
元件数量：	6	相数：	3
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	68 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VUO68-16NO7 数据手册

VUO68-08NO7

Rectifier

300

250

1000

50 Hz

0.8 x V _RRM

V_R= 0 V

I²t

[A²s]

I_F

I_FSM

T_VJ= 45°C

200

150

100

T_VJ= 45°C

[A]

T_VJ= 150°C

T_VJ

125°C

150°C

T_VJ= 25°C

0.4

100

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

0.8

1.2

1.6

2.0

t [ms]

V_F[V]

t [s]

Fig. 2 Surge overload current

Fig. 3 I²t versus time per diode

Fig. 1 Forward current versus

voltage drop per diode

100

R_thJA

DC =

0.5

DC =

0.6 KW

0.8 KW

0.4

0.5

0.33

0.17

0.08

0.4

_F(AV)M60

0.33

0.17

0.08

P_tot

[W]

[A]

10 15 20 25 30

100

125

150

25 50 75 100 125 150

T_A[°C]

I_dAVM[A]

T_C[°C]

Fig. 4 Power dissipation vs. direct output current & ambient temperature

Fig. 5 Max. forward current vs.

case temperature

1.2

1.0

0.8

Constants for Z_thJCcalculation:

_th(K/W)

t_i(s)

Z_thJC

0.6

[K/W]

0.4

0.05070

0.163

0.004

0.0025

0.0035

0.02

0.2805

0.363

0.2

0.0

0.2228

0.15

100

1000

10000

t [ms]

Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20140226b

1 2 3 45

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