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VUM35-05P1

更新时间: 2024-11-21 19:45:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ECOPAC-8

VUM35-05P1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (ID):35 A
最大漏源导通电阻:0.12 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X8元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

VUM35-05P1 数据手册

  

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