VUO105-16NO7

更新时间： 2024-11-04 22:15:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		三相整流桥整流二极管桥式整流二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	79K
描述
Three Phase Rectifier Bridge

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VUO105-16NO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PUFM-X5
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	2.27	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.6 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X5	最大非重复峰值正向电流：	1500 A
元件数量：	6	相数：	3
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	160 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VUO105-16NO7 数据手册

VUO 105

I_dAVM= 140 A

V_RRM= 1200-1800 V

Three Phase

Rectifier Bridge

–

V_RSM

V_RRM

Type

1200

1400

1600

1800

1200

1400

1600

1800

VUO 105-12NO7

VUO 105-14NO7

VUO 105-16NO7

VUO 105-18NO7*

* delivery time on request

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

●

Package with screw terminals

Isolation voltage 3000 V~

Planar passivated chips

Blocking voltage up to 1800 V

Low forward voltage drop

UL registered E 72873

I_dAVM

I_FSM

T_C= 85°C, module

= 45°C;

140

●

t = 10 ms (50 Hz), sine

1500

1650

V^V_R^J= 0

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

= T

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1350

1500

V^V_R^J= 0 ^VJM

Applications

I²t

= 45°C

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

11250

11300

A²s

V^V_R^J= 0

●

Supplies for DC power equipment

Input rectifiers for PWM inverter

Battery DC power supplies

●

= T

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

9120

9350

A²s

●

V^V_R^J= 0 ^VJM

●

Field supply for DC motors

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

°C

Advantages

●

Easy to mount with two screws

Space and weight savings

Improved temperature and power

-40...+150

●

V_ISOL

M_d

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

●

I_ISOL£ 1 mA

cycling

Mounting torque (M5)

5 ± 15 %

44 ± 15 %

5 ± 15 %

lb.in.

Terminal connection torque (M5)

typ.

44 ± 15 %

lb.in.

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Weight

225

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

V = V_RRM

V^R_R= V_RRM

;

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

0.3

8.0

V_F

V_T0

r_T

I_F= 150 A;

T_VJ= 25°C

1.6

0.8

For power-loss calculations only

R_thJC

R_thJH

per diode

0.83

K/W

per module

0.138

per diode

per module

1.13

0.188

K/W

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 2

中文翻译

下载PDF

VUO105-16NO7 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SKD160/16	SEMIKRON	功能相似	Power Bridge Rectifiers

与VUO105-16NO7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VUO105-18NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO110	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO110-08NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO110-08NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO110-12NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO110-12NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO110-14NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO110-16NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO110-16NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO110-18NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge

与VUO105-16NO7相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

10
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VUO105-16NO7

VUO105-16NO7 技术参数

VUO105-16NO7 数据手册

VUO105-16NO7 替代型号

与VUO105-16NO7相关器件

与VUO105-16NO7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VUO105-16NO7

VUO105-16NO7 技术参数

VUO105-16NO7 数据手册

VUO105-16NO7 替代型号

与VUO105-16NO7相关器件

与VUO105-16NO7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？