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VSC7940-W

更新时间: 2024-01-14 17:01:41
品牌 Logo 应用领域
VITESSE 驱动器二极管激光二极管功率控制
页数 文件大小 规格书
16页 170K
描述
Interface Circuit, 1.773 X 2.233 MM, DIE-48

VSC7940-W 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIE
包装说明:DIE,针数:48
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.68
Is Samacsys:N接口集成电路类型:INTERFACE CIRCUIT
JESD-30 代码:R-XUUC-N48功能数量:1
端子数量:48最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE封装形状:RECTANGULAR
封装形式:UNCASED CHIP认证状态:Not Qualified
最大供电电压:5.25 V最小供电电压:4.75 V
标称供电电压:5 V表面贴装:YES
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

VSC7940-W 数据手册

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VITESSE  
SEMICONDUCTOR CORPORATION  
Preliminary Data Sheet  
SONET/SDH 3.125Gb/s  
Laser Diode Driver with Automatic Power Control  
VSC7940  
Bare Die Pad Descriptions  
Figure 1: Pad Assignments  
1773µm (0.0698")  
Pad 9  
VCC1  
Pad 8  
CLK-  
Pad 7  
CLK+  
Pad 6  
VCC1  
Pad 5  
GND1  
Pad 4  
VCC1  
Pad 3  
DATA-  
Pad 2  
DATA+  
Pad 1  
VCC1  
Pad 48  
GND1  
(Pin 7)  
(Pin 6)  
(Pin 5)  
(Pin 4)  
(Pin 3)  
(Pin 2)  
(Pin 1)  
Pad 10  
GND1  
Pad 47  
GND2  
Pad 11  
LATCH  
Pad 46  
VCC2  
(Pin 8)  
(Pin 32)  
(Pin 31)  
(Pin 30)  
20µm  
(0.0008")  
Pad 12  
ENABLE  
Pad 45  
BIASMAX  
(Pin 9)  
Pad 13  
DISABLE  
Pad 44  
MODSET  
(Pin 10)  
Pad 14  
GND1  
Pad 43  
GND2  
Pad 15  
BIASMON  
Pad 42  
APCSET  
(Pin 11)  
(Pin 12)  
(Pin 13)  
(Pin 29)  
(Pin 28)  
Pad 16  
MODMON  
Pad 41  
RESERVED  
VSC7940  
2233µm  
(0.0879")  
Pad 17  
FAIL  
Pad 40  
GND2  
Pad 18  
GND4  
Pad 39  
PB_GND  
Pad 19  
PB_GND  
Pad 38  
GND3  
(Pin 27)  
Pad 20  
APCFILT  
Pad 37  
PB_GND  
(Pin 14)  
(Pin 15)  
Pad 21  
GND4  
Pad 36  
CAPC  
(Pin 26)  
(Pin 25)  
Pad 22  
VCC4  
Pad 35  
VCC3  
(Pin 16)  
(Pin 17)  
Pad 23  
BIAS  
Pad 34  
GND3  
(Pin 18)  
(Pin 19)  
(Pin 20)  
(Pin 21)  
(Pin 22)  
(Pin 23)  
(Pin 24)  
Pad 24  
PB_GND1  
Pad 25  
VCC4  
Pad 26  
DB_OUT+  
Pad 27  
OUT+  
Pad 28  
OUT-  
Pad 29  
DB_OUT-  
Pad 30  
VCC4  
Pad 31  
GND4  
Pad 32  
GND3  
Pad 33  
MD  
Die Size:  
1773µm x 2233µm (0.0698" x 0.0879")  
625µm (0.0246")  
75µm  
(0.0030")  
Die Thickness:  
Pad Pitch:  
115µm (0.0045")  
Pad to Pad Clearance:  
20µm (0.0008")  
Pad Passivation Opening: 95µm x 95µm (0.0037" x 0.0037")  
µ
© VITESSE SEMICONDUCTOR CORPORATION 741 Calle Plano Camarillo, CA 93012  
Tel: (800) VITESSE FAX: (805) 987-5896 Email: prodinfo@vitesse.com  
Internet: www.vitesse.com  
Page 4  
G52357-0, Rev 3.2  
05/11/01  

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