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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 100 ns | 备用内存宽度： | 8 |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G56 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 部门数/规模： | 32 |
| 端子数量： | 56 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SSOP |
| 封装等效代码： | SOP56,.6,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH | 页面大小： | 128/256 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class N | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.135 mA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VS28F016SV12 | INTEL |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 120ns, CDSO56 |
|
| VS28F016SV80 | INTEL |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 80ns, CDSO56 |
|
| VS28F016SV-85 | INTEL |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 85ns, PDSO56, 24 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, SSOP-56 |
|
| VS28VUA1LAM | ROHM |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressor |
|
| VS28VUA1LAMTF | ROHM |
获取价格 |
VS5V0UA1LAMTF是适合浪涌保护用途的小型模件封装的TVS二极管。是车载级的高可靠 |
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| VS2A100MF105000CE0 | HWE |
获取价格 |
片式铝电 |
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| VS2A101MI135000CE0 | HWE |
获取价格 |
片式铝电 |
|
| VS2A220MF105000CE0 | HWE |
获取价格 |
片式铝电 |
|
| VS2A330MG105000CE0 | HWE |
获取价格 |
片式铝电 |
|
| VS2A470MG105000CE0 | HWE |
获取价格 |
片式铝电 |
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