是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 0.620 X 1.640 INCH, PLASTIC, DIP-32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 150 ns |
其他特性: | 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | NO | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 41.91 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.83 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VS28F016SV100 | INTEL |
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Flash, 1MX16, 100ns, PDSO56, | |
VS28F016SV12 | INTEL |
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Flash, 1MX16, 120ns, CDSO56 | |
VS28F016SV80 | INTEL |
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Flash, 1MX16, 80ns, CDSO56 | |
VS28F016SV-85 | INTEL |
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Flash, 2MX8, 85ns, PDSO56, 24 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, SSOP-56 | |
VS28VUA1LAM | ROHM |
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Transient Voltage Suppressor | |
VS28VUA1LAMTF | ROHM |
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VS5V0UA1LAMTF是适合浪涌保护用途的小型模件封装的TVS二极管。是车载级的高可靠 | |
VS2A100MF105000CE0 | HWE |
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片式铝电 | |
VS2A101MI135000CE0 | HWE |
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片式铝电 | |
VS2A220MF105000CE0 | HWE |
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片式铝电 | |
VS2A330MG105000CE0 | HWE |
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片式铝电 |