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VS-VSUD405CW60

更新时间： 2024-02-08 19:27:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 超快软恢复二极管快速软恢复二极管局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 163K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 480A, 600V V(RRM), Silicon, TO-244AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

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VS-VSUD405CW60 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：5.7
其他特性：PD-CASE, UL APPROVED应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.72 VJEDEC-95代码：TO-244AB
JESD-30 代码：R-PUFM-X2最大非重复峰值正向电流：2700 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：480 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：789 W最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：3000 µA最大反向恢复时间：0.124 µs
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-VSUD405CW60 数据手册

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VS-VSUD405CW60  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
FRED Pt®  
Ultrafast Soft Recovery Diode, 400 A  
FEATURES  
• Ultrafast recovery  
Terminal  
anode 1  
Terminal  
anode 2  
• UL approved file E222165  
• Designed for industrial level  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
Base common  
cathode  
TO-244  
BENEFITS  
• Reduced RFI and EMI  
• Higher frequency operation  
• Reduced snubbing  
• Reduced parts count  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
400 A  
VR  
600 V  
5000 nC  
DESCRIPTION  
Q
rr (typical)  
trr  
FRED Pt® diodes are optimized to reduce losses and  
EMI/RFI in high frequency power conditioning systems. The  
softness of the recovery eliminates the need for a snubber in  
most applications. These devices are ideally suited for HF  
welding, power converters and other applications where  
switching losses are significant portion of the total losses.  
124 ns  
Type  
Modules - Diode, FRED Pt®  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
600  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
VR  
V
TC = 25 °C  
TC = 85 °C  
480  
Continuous forward current per diode  
IF(DC)  
338  
A
TC = 132 °C  
200  
Single pulse forward current per diode  
Maximum power dissipation per diode  
IFSM  
PD  
TC = 25 °C  
TC = 25 °C  
2880  
789  
W
TC = 124 °C  
270  
Operating junction and storage  
temperatures  
TJ, TStg  
-40 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS PER DIODE (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
-
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage  
VBR  
IR = 100 μA  
IF = 200 A  
IF = 400 A  
600  
-
1.36  
1.72  
-
-
-
-
-
-
-
1.13  
1.27  
0.92  
1.07  
0.6  
V
Forward voltage  
VFM  
IF = 200 A, TJ = 175 °C  
IF = 400 A, TJ = 175 °C  
-
Reverse leakage current  
Series inductance  
IRM  
LS  
TJ = 175 °C, VR = VR rated  
3.0  
-
mA  
nH  
From top of terminal hole to mounting plane  
5
Revision: 03-Nov-16  
Document Number: 94687  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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