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VSW2-50DR

更新时间: 2024-02-29 16:09:10
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其他 - ETC 射频微波光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 66K
描述
Interface IC

VSW2-50DR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:QFL20,.3SQReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82Is Samacsys:N
1dB压缩点:20 dBm最大插入损耗:2.1 dB
最小隔离度:22 dB安装特点:SURFACE MOUNT
功能数量:1端子数量:20
准时:0.003 µs最大工作频率:5000 MHz
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:METAL封装等效代码:QFL20,.3SQ
端口终止:REFLECTIVE电源:+-5 V
射频/微波设备类型:SPDT子类别:RF/Microwave Switches
表面贴装:YES技术:GAAS
最大电压驻波比:2Base Number Matches:1

VSW2-50DR 数据手册

  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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