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VS-MBR3045CT-1-M3

更新时间： 2024-02-05 05:32:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
10页 810K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-262AA,

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VS-MBR3045CT-1-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：5.73其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.76 V
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：1000 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

VS-MBR3045CT-1-M3 数据手册

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VS-MBRB30..CT-M3, VS-MBR30..CT-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifiers, 2 x 15 A  
FEATURES  
TO 263AB (D2PAK)  
TO-262AA  
• 150 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• Center tap D2PAK and TO-262 packages  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VS-MBR30..CT-1-M3  
VS-MBRB30..CT-M3  
DESCRIPTION  
PRODUCT SUMMARY  
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low  
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier  
technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
IF(AV)  
2 x 15 A  
35 V, 45 V  
VR  
VF at IF  
See datasheet  
100 mA at 125 °C  
150 °C  
IRM max.  
TJ max.  
EAS  
10 mJ  
Package  
Diode variation  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
Common cathode  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
CHARACTERISTICS  
Rectangular waveform (per device)  
TC = 123 °C (per leg)  
VALUES  
30  
UNITS  
A
30  
VRRM  
IFSM  
35/45  
1020  
V
A
tp = 5 μs sine  
20 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
VF  
0.6  
V
TJ  
-65 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-MBRB3035CT-M3  
VS-MBR3035CT-1-M3  
VS-MBRB3045CT-M3  
VS-MBR3045CT-1-M3  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
Revision: 03-Mar-14  
Document Number: 94953  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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与VS-MBR3045CT-1-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBR3045CT-1PbF KERSEMI

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 		This center tap Schottky rectifier has been optimized for low
VS-MBR3045CT-M3 VISHAY

获取价格

 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A
VS-MBR3045CTPBF VISHAY

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 		DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO220AB
VS-MBR3045WT-N3 VISHAY

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 		High frequency operation
VS-MBR3045WTPBF VISHAY

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 		DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO247AC
VS-MBR30WTPBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 3 A
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VS-MBR340TR-M3 VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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