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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | DO-5, 1 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.61 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JEDEC-95代码： | DO-203AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1800 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 180 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 85 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向电流： | 9000 µA | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VS-86HFR80 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 85A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| VS-86HFR80M | VISHAY |
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DIODE GEN PURP 800V 85A DO203AB |
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| VS-87CNQ020A | VISHAY |
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Schottky Rectifier New Generation 3 D-61 Package, 2 x 40 A |
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| VS-87CNQ020APBF | VISHAY |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40A, 20V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTI |
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| VS-87CNQ020ASMPBF | VISHAY |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40A, 20V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, P |
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| VS-87HF100 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 85A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| VS-87HF10M8 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 85A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| VS-87HF120 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 85A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| VS-87HF120M | VISHAY |
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DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO203AB |
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| VS-87HF140M | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 85A, 1400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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