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VS-30WQ06FNPBF

更新时间： 2024-10-30 15:57:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
7页 146K
描述
DIODE 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3, Rectifier Diode

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VS-30WQ06FNPBF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.73其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：490 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-30WQ06FNPBF 数据手册

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VS-30WQ06FNPbF  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
High Performance Schottky Rectifier, 3.5 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
• Popular D-PAK outline  
• Small foot print, surface mountable  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
4, 2  
1
3
Anode  
Anode  
D-PAK (TO-252AA)  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-252AA (D-PAK)  
3.5 A  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
IF(AV)  
VR  
60 V  
DESCRIPTION  
VF at IF  
IRM  
See Electrical table  
30 mA at 125 °C  
150 °C  
The VS-30WQ06FNPbF surface mount Schottky rectifier  
has been designed for applications requiring low forward  
drop and small foot prints on PC board. Typical applications  
are in disk drives, switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, battery charging, and reverse battery  
protection.  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
6 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
3.5  
UNITS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
Rectangular waveform  
A
V
60  
tp = 5 μs sine  
3 Apk, TJ = 125 °C  
490  
A
0.53  
V
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-30WQ06FNPbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
60  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 133 °C, rectangular waveform  
3.5  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated load  
condition and with rated  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
490  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 12 mH  
70  
V
RRM applied  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
6.0  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1.0  
Revision: 03-May-16  
Document Number: 94199  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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VS-30WQ06FNPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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VS-30WQ06FNTRLPBF VISHAY

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 		DIODE 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SIMILAR TO TO-252
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VS-30WQ06FNTRPBF VISHAY

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