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VS-30CDU06-M3/I

更新时间： 2024-11-24 21:19:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 超快软恢复二极管快速软恢复二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 131K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMPD, 3/2 PIN

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VS-30CDU06-M3/I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMPD, 3/2 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：1.24
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.25 VJEDEC-95代码：TO-263AC
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：160 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：15 µA最大反向恢复时间：0.065 µs
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-30CDU06-M3/I 数据手册

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VS-30CDU06-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Ultrafast Rectifier, 2 x 15 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Ultrafast recovery time, reduced Qrr, and soft  
recovery  
K
• 175 °C maximum operating junction temperature  
• For PFC CRM, snubber operation  
• Low forward voltage drop  
1
2
• Low leakage current  
Top View  
Bottom View  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
TO-263AC (SMPD)  
• Meets JESD 201 class 2 whisker test  
Anode 1  
K
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
Cathode  
Anode 2  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
State of the art ultrafast recovery rectifiers designed with  
optimized performance of forward voltage drop and ultrafast  
recovery time, and soft recovery.  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-263AC (SMPD)  
2 x 15 A  
600 V  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness, and  
reliability characteristics.  
IF(AV)  
VR  
These devices are intended for use in PFC, boost, lighting,  
in the AC/DC section of SMPS, freewheeling and clamp  
diodes.  
VF at IF  
trr  
0.9 V  
55 ns  
TJ max.  
Diode variation  
175 °C  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce power  
dissipation in the switching element and snubbers.  
Dual die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
600  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
VRRM  
V
per device  
30  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
IF(AV)  
Tsolder pad = 143 °C  
per diode  
per device  
per diode  
15  
A
300  
IFSM  
TJ = 25 °C, 6 ms square pulse  
160  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
600  
-
-
V
IF = 15 A  
-
-
-
-
-
1.03  
0.9  
-
1.25  
1.1  
15  
Forward voltage, per diode  
VF  
IF = 15 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current, per diode  
Junction capacitance, per diode  
IR  
μA  
pF  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
70  
13  
300  
-
CT  
Revision: 10-Feb-15  
Document Number: 95822  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-30CPH03-N3 VISHAY

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