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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PSIP-W4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 2.3 |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PSIP-W4 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 63 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VS-2KBP10 | VISHAY |
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Bridge Rectifier Diode, |
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| VS-2N5205 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, |
|
| VS-2N5206 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
|
| VS-2N5207 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
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| VS-2N681 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO |
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| VS-2N682 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO |
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| VS-2N683 | VISHAY |
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Phase Control Thyristor RMS SCRs, 25 A, 35 A |
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| VS-2N684 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, |
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| VS-2N685 | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristor RMS SCRs, 25 A, 35 A |
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| VS-2N687 | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristor RMS SCRs, 25 A, 35 A |
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