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VS-25CTQ035STRL-M3

更新时间： 2024-11-15 15:57:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 188K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-25CTQ035STRL-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：5.71其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.71 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：35 V最大反向电流：1750 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

VS-25CTQ035STRL-M3 数据手册

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VS-25CTQ...S-M3, VS-25CTQ...-1-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
• 150 °C TJ operation  
D2PAK  
TO-262  
• Center tap configuration  
• Very low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VS-25CTQ...S-M3  
VS-25CTQ...-1-M3  
DESCRIPTION  
The VS-25CTQ... center tap Schottky rectifier series has  
been optimized for very low forward voltage drop, with  
moderate leakage. The proprietary barrier technology allows  
for reliable operation up to 150 °C junction temperature.  
Typical applications are in switching power supplies,  
converters, freewheeling diodes, and reverse battery  
protection.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 15 A  
35 V to 45 V  
VR  
VF at IF  
IRM  
0.50 V  
70 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
EAS  
20 mJ  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
Common cathode  
Package  
Diode variation  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
Rectangular waveform  
Range  
VALUES  
30  
UNITS  
A
V
35 to 45  
990  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
15 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.50  
V
TJ  
- 55 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-25CTQ035S-M3  
VS-25CTQ040S-M3  
VS-25CTQ045S-M3  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
VS-25CTQ035-1-M3 VS-25CTQ040-1-M3 VS-25CTQ045-1-M3  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
40  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
Revision: 26-Feb-14  
Document Number: 94930  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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与VS-25CTQ035STRL-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-25CTQ035STRLPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 35V V(RRM), Silicon, TO-220, D2PAK-3
VS-25CTQ035STRR-M3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-25CTQ035STRRPBF VISHAY

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VS-25CTQ040-1-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-262AA,
VS-25CTQ040-1PBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 15 A
VS-25CTQ040-N3 VISHAY

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 		High frequency operation
VS-25CTQ040PBF VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-25CTQ040S-M3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-25CTQ040SPBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 15 A
VS-25CTQ040STRL-M3 VISHAY

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