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VS-243NQ100PBF

更新时间： 2024-11-14 15:57:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 142K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, D-67, HALF-PAK-1

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VS-243NQ100PBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PUFM-X1Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：2.28
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.26 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X1最大非重复峰值正向电流：25500 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：6000 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-243NQ100PBF 数据手册

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VS-243NQ100PbF  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
High Performance Schottky Rectifier, 240 A  
FEATURES  
Lug terminal  
anode  
• 175 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
Base  
cathode  
• Designed and qualified for industrial level  
• UL approved file E222165  
HALF-PAK (D-67)  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
DESCRIPTION  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
240 A  
100 V  
The VS-243NQ.. high current Schottky rectifier module  
series has been optimized for low reverse leakage at high  
temperature. The proprietary barrier technology allows  
for reliable operation up to 175 °C junction temperature.  
Typical applications are in high current switching power  
supplies, plating power supplies, UPS systems, converters,  
freewheeling diodes, welding, and reverse battery  
protection.  
VR  
Package  
HALF-PAK (D-67)  
Single  
Circuit configuration  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
240  
UNITS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
Rectangular waveform  
A
V
100  
tp = 5 μs sine  
240 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
25 500  
0.72  
A
V
TJ  
-55 to +175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-243NQ100PbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
100  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 132 °C, rectangular waveform  
240  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
25 500  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 5.5 A, L = 1 mH  
3300  
15  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1
Revision: 08-May-17  
Document Number: 94171  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, D-67,
VS248X MICROSEMI

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 200V V(RRM), Silicon,

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