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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VS24516100J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VS24518000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VS24523000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VS24524100J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VS24525000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VS24526000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VS-245NQ015PBF | VISHAY |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, D-67, |
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| VS248X | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| VS-249NQ150PBF | VISHAY |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 150V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, D-67, |
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| VS-24MB-N-SM2 | FUJITSU |
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Power/Signal Relay, POWER/SIGNAL RELAY, SPST, MOMENTARY, 0.029A (COIL), 24VDC (COIL), 700m |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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